IBM создала самый быстрый в мире графеновый транзистор

// // Исследования и разработки //

IBM ЛоготипИсследователи из  IBM представили работающий высокочастотный графеновый транзистор, предельная частота которого составляет 100 миллиардов циклов в секунду – 100 гигагерц, сообщается  в журнале Science. Разработка такого транзистора является важной вехой в программе создания электронных элементов нового поколения, пишет издание. «Главным преимуществом графена является скорость перемещения в нем электронов, что является ключом к созданию сверхскоростных транзисторов нового поколения, - отмечает Д-р Чен (Dr. T.C. Chen), вице-президент научно-исследовательского подразделения IBM - И созданное нами устройство демонстрирует, что графен можно применить на практике для создания высокоскоростных элементов и интегральных схем».

Однородные высококачественные пленки графена были получены путем термической деструкции подложки из двуокиси кремния. В транзисторе применена архитектура металлического верхнего затвора с локальным кремниевым затвором в котором использован полимер и оксид, являющийся хорошим диэлектриком. Длина затвора составляет 240 нм, что оставляет много возможностей для оптимизации устройства и дальнейшего сокращения размеров.

Ученые отмечают, что быстродействие этого транзистора превышает быстродействе самого современного кремниевого транзистора с такой же длиной затвора (40 гигагерц). Такое же быстродействие демонстрируют устройства, созданные на базе графена из природного графита, так, эта же группа ученых создала на базе пленки графена из природного графита транзистор, работавший на частоте 26 ГГц.