В США разработана новая технология производства полупроводников

// // Новое //

Ученые из США разработали новый способ производства полупроводников. В отличие от традиционного метода фотолитографии новая технология синтеза поэтапной фильтрации (SIS) позволяет создавать полупроводники намного более высокого качества, поскольку при ней не используются толстые слои наносимого на материал фоторезиста.

Разработка ученых из Аргоннской национальной лаборатории при министерстве энергетики США, по мнению экспертов, соответствует оптимистическим прогнозам развития полупроводников до 2022. В настоящее время полупроводники изготавливают с помощью фотолитографии. Происходит это следующим образом:  На толстую подложку (часто из  кремния) наносят тонкий слой материала, из которого нужно сформировать рисунок. На этот слой наносится фоторезист. Затем производится экспонирование через фотошаблон. Облучённые участки фоторезиста изменяют свою растворимость и их можно удалить химическим способом (процесс травления). Освобождённые от фоторезиста участки тоже удаляются. После этого удаляются остатки фоторезиста.

Однако у такого метода есть ограничение по размеру изготавливаемых компонентов. При определенной степени уменьшения края фоторезиста между разрывами начинают сворачиваться, и компонент приходит в негодность.

Начиная с 2010 ученый Сет Дарлинг и его коллеги разрабатывали метод синтеза поэтапной фильтрации (sequential infiltration synthesis или просто SIS), при котором полупроводники выращиваются из твердого неорганического материала внутри мягкой полимерной пленки с помощью определенных газов. Такая технология позволяет избежать масок из фоторезиста.

По словам Сета Дарлинга, преимущество его метода уже признали ведущие компании, производящие полупроводники. Важным является возможность избежать коллапса проводящих участков, а следовательно, создавать полупроводники с гораздо меньшей шириной между участками при той же высоте слоя.