Графеновые ленты - перспективный полупроводник

// // Исследования и разработки //

Тонкие полосовидные углеродные структуры могут оказаться хорошими полупроводниками. Учеными разработан химический способ изготовления углеродных лент шириной менее 10 нанометров и толщиной в один атом. Полупроводниковые свойства этих структур, названных учеными графеновыми лентами, делают их многообещающими для применения в области электроники. Графен поможет преодолеть ограничения, накладываемые современными полупроводниковыми технологиями, уверены ученые.

Для создания графеновых лент Хонджи Дай и его коллеги из Стендфордского университета на первой стадии процесса химически разделили на слои графит, ослабляя связь между слоями путем 60-секундного погружения графита  в 3% водородный раствор в аргоне при температуре 1000 градусов по Цельсию. Затем путем воздействия ультразвуковых колебаний находящийся в растворенном виде графит был расщеплен на слои. До этого ученые добивались аналогичного результата путем литографического моделирования, однако метод Хонджи Дая позволяет получить намного более узкие ленты с более ровными кромками.

Родни С. Руоф, профессор наноинженерии университета Техаса, назвал результаты великолепными. «Удивительно, что подобные ленты можно получить в результате воздействия ультразвука», отмечает профессор: «что указывает на существование некого механизма, обусловливающего систематическое распространение «трещин» или «разрывов» в структуре расщепленного на слои графита».

Работа Дая представляет собой «значительный прорыв» в исследованиях графена по словам профессора физики английского  университета  в Манчестере Андре Гейма. «Результаты показывают, что нужно лишь произвести ленты в несколько раз тоньше, чем полученные ранее, для того, чтобы произошел качественный скачок в их параметрах», - пояснил свое мнение г-н Гейма. По его словам, полученные материалы можно успешно применять в качестве полупроводников.

Дай заявляет, что тонкие наноленты обладают полезными свойствами при комнатной температуре, что делает их многообещающим компонентом для транзисторов полевого действия и сенсоров. Более того, все наноленты шириной менее 10 нм являются полупроводниками, в отличие от родственных им нанотрубок. По словам Дая, необходимы дальнейшие исследования, чтобы изучить возможности применения устройств на основе таких нанолент в электронике. В то же время он заявил, что наноленты «являются экспериментальной тестовой основой для изучения фундаментальных электрических, спектроскопических и спиновых своиств, приписываемых этим материалам».

По материалам западной прессы.